数据列表

SJD112T4G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

-

供应商器件封装 :

-

功率 - 最大值 :

-

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

-

封装/外壳 :

-

工作温度 :

-

晶体管类型 :

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电压 - 集射极击穿（最大值） :

-

电流 - 集电极截止（最大值） :

-

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

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系列 :

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零件状态 :

最後搶購

频率 - 跃迁 :

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