数据列表

2SB1201T-E

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

700mV @ 50mA，1A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

200 @ 100mA，2V

供应商器件封装 :

TP

功率 - 最大值 :

800mW

包装 :

散装

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

2A

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

150MHz