数据列表

2SD20670RA

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

1.5V @ 1mA，1A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

8000 @ 1A，10V

供应商器件封装 :

MT-2-A1

功率 - 最大值 :

1W

包装 :

带盒（TB）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

3-SIP

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN - 达林顿

电压 - 集射极击穿（最大值） :

100V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

2A

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

-