数据列表

M8550-D-AP

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

500mV @ 80mA，800mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

160 @ 100mA，1V

供应商器件封装 :

TO-92

功率 - 最大值 :

625mW

包装 :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

工作温度 :

-55°C ~150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

25V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

系列 :

-

零件状态 :

最後搶購

频率 - 跃迁 :

150MHz