数据列表

DTA113TKAT146

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 250µA，5mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

100 @ 1mA，5V

供应商器件封装 :

SMT3

功率 - 最大值 :

200mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

-

电阻器 - 基底（R1） :

1 kOhms

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計

频率 - 跃迁 :

250MHz