数据列表

DTB123EKFRAT146

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 2.5mA，50mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

39 @ 50mA，5V

供应商器件封装 :

SMT3

功率 - 最大值 :

200mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

晶体管类型 :

PNP - 预偏压 + 二极管

电压 - 集射极击穿（最大值） :

-

电流 - 集电极截止（最大值） :

-

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

2.2 kOhms

电阻器 - 基底（R1） :

2.2 kOhms

系列 :

汽车级，AEC-Q101

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

200MHz