产品概览
- 产品型号
- NSV60101DMR6T1G
- 现有数量
- 580
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
- 产品描述
- 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
文档与媒体
- 数据列表
- NSV60101DMR6T1G
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 200mV @ 100mA,1A
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 250 @ 100mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SC-74
- 功率 - 最大值 :
- 530mW
- 包装 :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 1A
- 系列 :
- 汽车级,AEC-Q101
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与价格
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