数据列表

PBSS5130PAP,115

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

280mV @ 50mA，1A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

170 @ 500mA，2V

供应商器件封装 :

6-HUSON-EP（2x2）

功率 - 最大值 :

510mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-UDFN 裸露焊盘

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

2 PNP（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

30V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

1A

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

125MHz