数据列表

QSH29TR

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 1mA，100mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

500 @ 200mA，5V

供应商器件封装 :

TSMT6（SC-95）

功率 - 最大值 :

1.25W

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

晶体管类型 :

2 个 NPN 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

70V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

-

电阻器 - 基底（R1） :

10 千欧

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

-