产品概览
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- 数据列表
- BCM857BV,115
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 400mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-666
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 包装 :
- Reel®
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)配对
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 100mA
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- 175MHz
采购与价格
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