数据列表

UMX4NTR

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

500mV @ 4mA，20mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

56 @ 10mA，10V

供应商器件封装 :

UMT6

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

2 NPN（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

20V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

50mA

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計

频率 - 跃迁 :

1.5GHz