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EMB11FHAT2R

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 500µA，10mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

30 @ 5mA，5V

供应商器件封装 :

EMT6

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

晶体管类型 :

2 PNP 预偏压（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

-

电流 - 集电极截止（最大值） :

-

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

10 千欧

电阻器 - 基底（R1） :

10 千欧

系列 :

汽车级，AEC-Q101

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

250MHz