数据列表

PBLS1501V,115

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

供应商器件封装 :

SOT-666

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，15V

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA，100nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA，500mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

2.2 千欧

电阻器 - 基底（R1） :

2.2 千欧

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

280MHz